半导体碳化硅（SiC）功率器件技术进展及趋势分析的详解；
相较于硅产品,SiC 功率器件具有许多优势,然而也存在一定的问题挑战,本章节将逐一展开分析。 SiC二极管技术进展 基于SiC材料的性能优势,如禁带宽度、击穿场强和热系数,因此SiC二极管具有更高的击穿电压、低损耗、散热更好等优势。
一文看懂Sic功率器件 - 知乎 - 知乎专栏
2023年8月21日 · SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。
碳化硅功率器件：技术背景、应用及未来展望 - 国晶微半导体
2024年7月16日 · 与传统的硅（Si）功率器件相比，碳化硅功率器件在高温、高压、高频和高功率应用中展现出显著的优势。 本文将详细介绍碳化硅功率器件的技术背景、应用领域以及未来的发展前景。
解析碳化硅功率模块：从技术优势到广泛应用的全面指南 - ROHM …
2024年12月18日 · 碳化硅功率模块（SiC Power Module）的出现，正在改变现代电力电子领域的格局。凭借卓越的高频、高效和高功率密度特性，这种基于碳化硅（SiC）半导体的器件，正广泛应用于电动汽车充电站、太阳能逆变器、工业电源和不间断电源等多种场景。
碳化硅功率器件的应用与发展趋势 - sciengine.com
本文简述了碳化硅材料的特性优势，碳化硅功率器件的主要类型和结构，以及碳化硅器件的主要应用领域，最后总结了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等功率器件的主要发展趋势。
碳化硅功率器件技术发展综述
第三代半导体SiC因禁带宽、热导率高等优异性能得到广泛关注，SiC功率器件也成为学术界和工业界的研究热点。 从SiC材料性质出发，归纳分析了SiC薄膜与SiC功率器件制备工艺，回顾了SiC MOSFET和IGBT器件的发展，讨论了SiC MOSFET和IGBT器件的结构设计优化和性能评估 ...
SiC（碳化硅）功率器件_分立式元器件_罗姆半导体集团(ROHM …
EcoSiC™是采用了因性能优于硅（Si）而在功率元器件领域备受关注的碳化硅（SiC）的元器件品牌。 从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。
碳化硅功率器件发展、优势、分类及应用 - 知乎
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级），具有优良的导热性能，高温时能抗氧化，还是一种新晋的半导体材料。 碳化硅历年进程
碳化硅(SiC)功率器件特性及应用 - 模拟技术 - 电子发烧友网
碳化硅功率器件是一种利用碳化硅材料制作的功率半导体器件，具有高温、高频、高效等优点，被广泛应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些碳化硅功率器件的基础知识。
碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域 - 模拟技术 - 电 …
2024年2月29日 · 碳化硅（SiC）功率器件作为第三代半导体材料的代表，具有高温、高速、高效、高可靠性等优点，被誉为“未来电力电子的新星”。本文将详细介绍碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域以及未来发展趋势。