晶体管（电子元件）_百度百科
2023年4月，北京大学电子学院彭练矛院士、邱晨光研究员团队研发出弹道二维硒化铟（InSe）晶体管，这是世界上迄今速度最快、能耗最低的二维半导体晶体管，其实际性能超过英特尔商用最先进的硅基晶体管。
终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了 - 腾讯云
2019年10月29日 · MOS晶体管是具有漏极、源极、栅极和衬底的4端子器件。图1显示了NMOS的3维结构。NMOS晶体管形成在p型硅衬底（也称为本体）上。在器件的顶部中心部分，形成一个低电阻率的电极，它通过一个绝缘体与本体分开。通常，使用n型或p型重掺杂的多硅作为栅极材料。
一文了解晶体管发展历程 - 电子工程专辑 EE Times China
2024年11月26日 · 第1771篇推文20世纪最伟大的发明是什么，你可能会得到一个答案——晶体管。 这篇文章带大家重走晶体管从发明、从20000nm制程到1nm制程、点燃科技革命的长征路
从沙子到芯片：芯片的原理和制造过程|晶体管|多晶硅|硅晶圆_网易 …
2024年11月20日 · 晶体管原理图. 芯片里的晶体管的结构由栅极、源极、漏极、半导体硅晶圆衬底等构成。工作原理：栅极类似于控制“按钮”，当我们给栅极加一个电压，源极和漏极就会导通，电子就可以通过。电压消失，通道也跟着消失。
北京大学彭练矛、邱晨光团队Nature：速度超越硅极限的二维晶体管 …
2023年3月23日 · Nature论文“弹道InSe晶体管”研制出世界上迄今弹道率最高、速度最快、功耗最低的二维晶体管，性能超过硅基极限。 姜建峰 北京大学电子学院博士研究生，师从彭练矛教授与邱晨光研究员。
超越硅基极限的二维晶体管来了 - 中国科学院
2023年4月7日 · 近日，北京大学电子学院彭练矛院士、邱晨光研究员团队研发出弹道二维硒化铟（InSe）晶体管，这是世界上迄今速度最快、能耗最低的二维半导体晶体管，其实际性能超过英特尔商用最先进的硅基晶体管。
芯片破壁者（一）：从电子管到晶体管“奇迹”寻踪 - 知乎
2020年7月5日 · 而芯片正是由半导体集成电路来实现的，而集成电路最基本的物理单元就是晶体管。 晶体管，就是我们从物理世界通向数字世界的“细胞”。 如果你认可电子信息技术以及由此带来的数字经济的巨大价值的话，那么你一定也会同意将“最具影响
芯片战争-21：全球第一个商用化的硅晶体管 - 知乎专栏
2019年5月12日 · 随后三年，德州仪器垄断全球硅晶体管市场，并以惊人的速度成长，年收入平均增长61%，年利润平均增长73%，充分展现了科技红利之魅力。 正文： 第二章 黎明之前 第七节：全球第一个商用化的硅晶体管 在 半导体晶体管 诞生的早期，晶体管都是采用“锗”为主 ...
芯片战争-24：扩散工艺，第一个硅扩散晶体管，塔尼巴恩的回忆 …
2020年2月18日 · 半导体“硅”晶体管，特别是高速开关的“硅”晶体管能够商业化推广，离不开半导体生产制造技术核心——扩散工艺技术的发明和演进，这是全球硅周期时代之历史进程中非常重要的关键技术之一。
半导体硅(SI)基晶体管的分类与特征的详解； - 知乎专栏
从本篇开始将跟大家分享“si晶体管”。虽然统称为“si晶体管”，不过根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“mosfet”等种类。另外，还可根据处理的电流、电压和应用进行分类。下面以“功率元器件”为主题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。