研究团队进一步开发了垂直非对准键合集成技术，成功构建了与硅基CMOS紧密集成的可独立寻址的Micro-LED显示芯片，0.39英寸显示屏具有优异的亮度均匀性，标准差仅为720Cd/m2 (2.2%),像素密度高达3400PPI，实现了图片和视频的高清显示。

10月11日，聚灿光电发布三季报，今年1月份至9月份，公司实现营业收入20.22亿元，同比增长10.61%；归属于上市公司股东的净利润1.6亿元，同比增长107.02%。 对于业绩的稳定增长，聚灿光电工作人员对《证券日报》记者表示：“报告期内，市场终端需求持续回暖，公司产能释放，以高光效照明、车用照明、背光等为代表的高端产品产销两旺。” ...

MK2706是基于茂睿芯广受客户认可的四合一MK2789系列产品开发而成。MK2789系列已经集成了QR ...

目前，有客户已经开始使用QST衬底和QST外延衬底上的GaN开发功率器件、高频器件和LED，并已进入数据中心电源的开发阶段。 此外，全球还有英特尔、晶湛半导体、IVWorks等多家企业也曾宣布实现了12英寸GaN突破，在器件、外延、生产设施等方面实现技术突破。

依托中国科学院院士江风益团队开辟的世界第三条蓝光LED技术路线，南昌高新区重点打造硅衬底LED全产业链集群，率先在全球实现硅衬底GaN基LED产业化，大功率LED光源产能位居全国前列。 一个区域面积仅为全市二十五分之一的开发区，何以成为全国LED产业重要 ...

这种衬底材料可实现高质量、大直径的厚GaN外延生长。许多客户正在利用此功能评估用于功率器件、高频器件和LED的QST TM 衬底和GaN on QST TM 外延衬底。