近期，我国两家碳化硅大企天岳先进、烁科晶体先后披露了最新一代12英寸SiC衬底。据多位行业人士表示，虽然可以明显看到12英寸SiC衬底需求较大，但是今年和明年仍处于8英寸碳化硅元年，预计12英寸SiC衬底小规模生产时间将落在2027年开始。 烁科晶体发布12英寸碳化硅衬底 12月26日，中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，并同期 ...

在当今全球半导体产业蓬勃发展的背景下，山西烁科晶体有限公司传来令人振奋的消息：该公司成功研制出全球首发的12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底！这一突破，无疑为中国半导体产业的增长注入了强大的动力。本篇文章将带您深入分析这一技术突破的背景、意义，以及对未来半导体领域的影响。 一、碳化硅：未来芯片制造的“新宠” 碳化硅（SiC）作为一种新兴半导体材料，其高温、高频和高功率等优越性能使其在电动 ...

复合应用 GaN 和 SiC 是近年来业界应对高性能需求的创新方向。通过技术创新如横向 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）与垂直 SiC 晶体管的结合 ...

近日，韩国东义大学研究团队发表了一篇论文，题目为《通过改进 PVT 生长过程中的热区设计并采用更致密的石墨坩埚来提高SiC单晶的质量》，他们研究发现，通过石墨堆叠结构的热区设计 ...

昨日，SiC界又一新闻引发行业关注。安森美宣布1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管 (SiC JFET) 技术业务，包括其子公司United Silicon Carbide ...

国际电子商情13日讯 安森美（onsemi）日前宣布了一项重大战略举措，以1.15亿美元收购Qorvo公司的碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术业务及其子公司United Silicon Carbide。 这一收购将显著提升 ...

碳化硅（SiC）作为一种高性能半导体材料，广泛应用于电力电子、光电器件等领域。然而，传统的碳化硅晶体生长工艺中，晶体生长过程中往往会 ...

sic jfet的单位面积导通电阻超低，低于任何其他技术的一半。它们还支持使用硅基晶体管几十年来常用的现成驱动器。综合这些优势， sic jfet的采用 ...