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12 天
12英寸SiC衬底,我国两家企业首发
近期,我国两家碳化硅大企天岳先进、烁科晶体先后披露了最新一代12英寸SiC衬底。据多位行业人士表示,虽然可以明显看到12英寸SiC衬底需求较大,但是今年和明年仍处于8英寸碳化硅元年,预计12英寸SiC衬底小规模生产时间将落在2027年开始。 烁科晶体发布12英寸碳化硅衬底 12月26日,中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司成功研制出12英寸(300mm)高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,并同期 ...
7 天
山西烁科晶体发力!全球首发12英寸高纯碳化硅衬底,芯片产业迎来 ...
在当今全球半导体产业蓬勃发展的背景下,山西烁科晶体有限公司传来令人振奋的消息:该公司成功研制出全球首发的12英寸(300mm)高纯半绝缘碳化硅单晶衬底!这一突破,无疑为中国半导体产业的增长注入了强大的动力。本篇文章将带您深入分析这一技术突破的背景、意义,以及对未来半导体领域的影响。 一、碳化硅:未来芯片制造的“新宠” 碳化硅(SiC)作为一种新兴半导体材料,其高温、高频和高功率等优越性能使其在电动 ...
OFweek维科网
23 天
GaN 与 SiC 在电气化驱动应用中的差异和未来趋势
复合应用 GaN 和 SiC 是近年来业界应对高性能需求的创新方向。通过技术创新如横向 GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)与垂直 SiC 晶体管的结合 ...
电子工程专辑
15 天
优化石墨设计大幅降低SiC缺陷,BPD仅120个
近日,韩国东义大学研究团队发表了一篇论文,题目为《通过改进 PVT 生长过程中的热区设计并采用更致密的石墨坩埚来提高 ...
国际电子商情
29 天
斥资1.15亿美元,安森美宣布收购Qorvo SiC JFET业务
国际电子商情13日讯 安森美(onsemi)日前宣布了一项重大战略举措,以1.15亿美元收购Qorvo公司的碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务及其子公司United Silicon Carbide。 这一收购将显著提升安森美在碳化硅技术领域的市场地位,并增强其在电动汽车、工业 ...
搜狐
1 个月
通威微电子获专利,技术创新提升碳化硅晶体生长质量
碳化硅(SiC)作为一种高性能半导体材料,广泛应用于电力电子、光电器件等领域。然而,传统的碳化硅晶体生长工艺中,晶体生长过程中往往会 ...
腾讯网
1 个月
安森美为什么要收购UnitedSiC
昨日,SiC界又一新闻引发行业关注。安森美宣布1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管 (SiC JFET) 技术业务,包括其子公司United Silicon Carbide ...
电子工程专辑
11 天
烁科晶体成功突破12英寸SiC!
故障现象一辆2017款东风风神AX7车,搭载DFMA14T发动机,累计行驶里程约为13.7万km。该车冷起动后怠速运转正常,热机后怠速运转不稳,组合仪表上的发动机转速表指针上下轻微抖动。 故障诊断用故障检测仪检测,发动机控制单元中无故障代码存储;读取发动机 ...
来自MSN
2 天
扩产潮涌,碳化硅蓄力前行又一年
作为宽禁带半导体的代表性材料之一,碳化硅(SiC)在刚刚过去的2024年加速渗透到更多领域。在降本提效刺激下,全球碳化硅行业在2024年维持着“增资扩产”的热潮,产业链相关企业竞相作出新动作,积极扩充产能,推动碳化硅产业化进程不断向前迈进。
腾讯网
1 个月
安森美1.15亿美元收购Qorvo碳化硅JFET技术
sic jfet的单位面积导通电阻超低,低于任何其他技术的一半。它们还支持使用硅基晶体管几十年来常用的现成驱动器。综合这些优势, sic jfet的采用 ...
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